Con capacidad de almacenamiento de 180 TB y diseñado para gestionar entradas ópticas de alta velocidad, el grabador de datos HSDR-2512-1 resulta ideal para operaciones intensivas en redes Ethernet de 10 Gbps.
El grabador de datos HSDR-2512-1, desarrollado por Curtiss-Wright, está compuesto por dos unidades: el módulo de grabación hREC-1000-2 y el módulo de memoria hREM-1000-2.
Esta configuración proporciona una solución robusta para la captura y almacenamiento de datos en sistemas de alta velocidad.
La unidad de memoria aloja dos módulos extraíbles hRMM-1090-X, con un total de 180 TB de capacidad, distribuidos en 12 SSD de 15 TB cada uno.
Esto permite grabar hasta 3 horas de datos provenientes de doce entradas Ethernet de 10 Gbps y tres canales de Fibra Canal de 2 Gbps, de forma simultánea y sin pérdida de información.
Arquitectura modular y conexiones ópticas
El hREC-1000-2, diseñado para ubicarse cerca de la fuente de datos ópticos, se conecta directamente al conmutador óptico FOSW-2560-1 a través de 15 puertos ópticos.
Su arquitectura permite recibir datos a través de enlaces bidireccionales que los procesan y los transfieren al módulo de memoria mediante enlaces ópticos Firefly, equipados con conectores MIL-DTL-38999.
Por su parte, el hREM-1000-2 se puede instalar en ubicaciones de fácil acceso para simplificar la extracción y sustitución de los módulos hRMM-1090-X tras una misión. Esto asegura una operación eficiente y rápida entre sesiones de grabación.
La solución completa HSDR-2512-1 está optimizada para redes basadas en fibra óptica multimodo (50/125 μm), utilizando longitudes de onda de luz nominales de 850 nm.
Los puertos de entrada ópticos soportan tasas de transmisión de datos configurables de 2 Gbps o 10 Gbps, adaptándose a diferentes entornos y requisitos operativos.
Capacidades avanzadas de grabación
El sistema HSDR-2512-1 destaca por su capacidad de escritura, alcanzando un ancho de banda de hasta 16,5 GBps. Este rendimiento asegura la integridad y velocidad en la transferencia de datos desde las múltiples fuentes al módulo de memoria.
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