Las nuevas soluciones de almacenamiento Flash Universal Embebidas (eUFS) de 512 GB responden a la necesidad de gestionar la creciente cantidad de contenido multimedia en dispositivos móviles de próxima generación.
Samsung Electronics ha comenzado la producción masiva de la primera solución Universal Flash Storage embebida (eUFS) de 512 GB para uso en dispositivos móviles de próxima generación.
Utilizando los últimos chips V-NAND de 64 capas y 512 Gb de Samsung, el nuevo 512GB eUFS ofrece mejoras en capacidad de almacenamiento y rendimiento a los futuros Smartphones y Tablets.
“El nuevo 512GB eUFS proporciona una alternativa segura y eficiente a los Smartphones premium al eliminar las limitaciones potenciales en rendimiento de sistema con el uso de tarjetas micro SD”, afirma Jaesoo Han, Vicepresidente de Ventas y Marketing de Memoria de Samsung Electronics. “Al garantizar un suministro estable de este almacenamiento embebido avanzado, vamos un paso por delante a la hora de respaldar la seguridad en el lanzamiento de terminales móviles de próxima generación por parte de fabricantes de todo el mundo”.
Compuesta por ocho chips V-NAND de 64 capas y 512 Gb y un chip controlador (todos ellos apilados), la solución 512GB eUFS dobla la densidad de las versiones anteriores de 256 GB y 48 capas (en el mismo espacio de encapsulado).
Esta capacidad contribuye a mejorar la seguridad móvil. Por ejemplo, permite a un Smartphone premium almacenar alrededor de 130 videoclips Ultra HD 4K (3840×2160) con una duración de 10 minutos. Hasta ahora, con 64GB eUFS, se podían guardar unos 13 vídeos del mismo tamaño.
Para maximizar la eficiencia energética de esta solución, Samsung ha introducido nuevas tecnologías propias. El diseño del circuito de V-NAND de 64 capas y 512 Gb y la tecnología de gestión de potencia en el controlador minimizan el consumo de energía, algo esencial al doblar el número de celdas de memoria con respecto a 256GB eUFS. Además, la velocidad del chip controlador del 512GB eUFS facilita el proceso de “mapeado” para la conversión de direcciones de bloque lógico en bloques físicos.
Otras características en las memorias Flash Universal Embebidas eUFS
La Samsung 512GB eUFS también destaca por sus prestaciones de seguridad en la lectura y escritura. La lectura y la escritura secuenciales alcanzan hasta 860 megabytes por segundo (MB/s) y 255 MB/s, respectivamente y, por lo tanto, permite transferir un videoclip full HD de unos 5 GB a un SSD en unos 6 segundos, ocho veces más rápido que una tarjeta microSD típica.
En operaciones aleatorias, el nuevo eUFS puede leer 42.000 IOPS y escribir 40.000 IOPS, volviendo a superar ampliamente los resultados de tarjetas micro SD.
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